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        三靶射頻磁控濺射鍍膜儀VTC-3RF
         
           
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        合肥科晶三靶射頻磁控濺射鍍膜儀VTC-3RF

        輸入電源:220V AC50/60Hz ,設備功率:<1500W ,靶臺加熱溫度:500℃,樣品臺轉速:0-10r/min ,靶頭可調傾角:0-25度,濺射腔體尺寸:278mm OD x 272mm ID x310mm H

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        三靶射頻磁控濺射鍍膜儀VTC-3RF合肥科晶產(chǎn)品簡(jiǎn)介:
        VTC-3RF三靶射頻磁控濺射鍍膜儀,配有磁控等離子濺射頭和射頻(RF)等離子電源,此款設備主要用于制作非導電薄膜,特別是一些氧化物薄膜。對于新型非導電薄膜的探索,它是一款廉價(jià)并且高效的實(shí)驗幫手。

        三靶射頻磁控濺射鍍膜儀VTC-3RF合肥科晶產(chǎn)品技術(shù)參數:

        設備名稱(chēng)

        三靶射頻磁控濺射鍍膜儀--VTC-3RF

        產(chǎn)品提示

        1、多種配件可選提示   2、特殊設備尺寸設備    3、科晶實(shí)驗室邀請提示    4、配件妥善保管提示

         

         

         

         

         

        主要特點(diǎn)

         

        ·標配的石英腔體(也可選配金屬腔體)方便觀(guān)察(圖1 

        ·相比傳統濺射儀,體積小巧,拆裝方便(圖2 

        ·模塊化設計,靶頭,電源等多種可選,自由DIY(圖3 

        ·基臺可旋轉可加熱 

        ·可濺射金屬和氧化物。實(shí)驗室已初步制備了 氧化鋅、碲化鉍、ITO、ATO、AU、Ag、Cu、Al、Mg、Sc等薄膜。

          
        圖1 圖2 圖3

         

         

          

         

        基本參數

         

        1、輸入電源:220V AC50/60Hz 

        2、設備功率:<1500W 

        3、靶臺加熱溫度:500 

        4、樣品臺轉速:0-10r/min 

        5、靶頭可調傾角:0-25 

        6、濺射腔體尺寸:278mm OD x 272mm ID x310mm H。 

        7、靶材尺寸要求:1英寸磁控濺射靶頭Φ25.4mm ×(0.1-3mm(厚度)    2英寸磁控濺射靶頭Φ50mm ×(0.1-3mm(厚度) 

        8、最高使用功率:1英寸磁控濺射靶頭100W     2英寸磁控濺射靶頭300W

         

         

          

         

         

         

        機體結構

         

        ·設備配備三個(gè)直流射頻通用靶頭,1英寸2英寸尺寸可選。 

        ·儀器中安裝有直徑為50mm的不銹鋼可旋轉樣品臺,最高加熱溫度是500℃(圖1 

        ·配有300W自動(dòng)匹配射頻電源和500W的直流濺射電源(可自由選擇)(圖2

        ·設備上配1/4英寸進(jìn)氣口方便連接氣瓶(圖3 

        ·配有靶頭電動(dòng)升降臺(圖4 

        ·配有高純石英密封罩(圖5

        圖1 圖2 圖3 圖4 圖5

         

         

         

         

         

         

         

         

         

        配置可選

         

         

        2英寸高真空加熱臺

        膜厚監測儀

        供氣系統

        高真空系統

        反射光譜薄膜測厚儀

        水冷機

        真空干燥箱

        冷阱

        靶材

        晶體襯底材料

        超聲波清洗機

        等離子清洗機

         

         

         

          

        產(chǎn)品外形尺寸

         

        ·700mm L x 770 mm W x 1900 mm H 

        ·凈重:80 kg(不包括泵)

            

        備注:此產(chǎn)品尺寸為參考值,可能存在一定的誤差。如果您對尺寸有精確的要求,請在購買(mǎi)前和我公司聯(lián)系確認,以免給您造成不便。

         

         

         

         

         

         

         

         

         

         

         

         

        實(shí)驗室參考案例

         

        以下數據僅針對合肥科晶設備,不具有普遍性。 

        濺射氧化鋅薄膜

        基底采用:藍寶石(0001)基片(5*5*1mm3);

        靶材采用:Φ1”×2.5mm高純ZnO陶瓷靶

        XRD薄膜高分辨圖

        濺射ITO薄膜

        基底采用:Si(0001)基片(5*5*1mm3);

        靶材采用:Φ2”×2.5mm高純ITO靶

        EDS元素成分分析

        濺射Mg薄膜

        基底采用:Si(0001)基片(5*5*1mm3);

        靶材采用:Φ2”×2.5mm高純Mg靶

        EDS元素成分分析

        濺射Sc薄膜

        基底采用:Si(0001)基片(5*5*1mm3);

        靶材采用:Φ2”×2.5mm高純Sc靶

        EDS元素成分分析

         

        實(shí)驗案例照片 

        氧化鋅 ATO ITO
        碲化鉍
               
           

         

         

           
             

         

         

        相關(guān)視頻

          
        操作視頻

         

         

        應用技術(shù)提示

         

         

        1、為了保證濺射效果,非導電靶材必須安裝銅墊塊 

        2、有時(shí)為了達到理想的薄膜厚度,可能需要多次濺射鍍膜 

        3、為了得到較好的薄膜質(zhì)量,必須通入高純氣體(建議> 5N 

        4、在濺射鍍膜前,確保濺射頭、靶材、基片和樣品臺的潔凈 

        5、要達到薄膜與基底良好結合,請在濺射前清潔基材表面 

        6、在分子泵出口安裝有一個(gè)可手動(dòng)操作的擋板 

        超聲波清洗:(1)丙酮超聲(2)異丙醇超聲-去除油脂(3)吹氮氣干燥(4)真空烘箱除去水分。

        等離子清洗:可表面粗糙化,可激活表面化學(xué)鍵,可祛除額外的污染物。

        制造一個(gè)薄的緩沖層(5納米左右):如Gr,Ti,Mo,Ta,可以應用于改善金屬和合金的附著(zhù)力。 

          

         

         

         

        注意:產(chǎn)品內部安裝有高壓元件,禁止私自拆裝,帶電移動(dòng)機體。 

        1、1英寸靶頭最大使用功率為100W 

        2、2英寸靶頭最大使用功率為300W 

        3、氣瓶上應安裝減壓閥(設備不包括),保證氣體的輸出壓力限制在0.02兆帕以下,以安全使用。 

        4、濺射頭連接到高電壓。為了安全,操作者必須在關(guān)閉設備后才能進(jìn)行裝樣和更換靶頭等操作。 

        5、請勿在易燃易爆氣體環(huán)境下使用該設備 

        6、請勿在潮濕的環(huán)境下使用該設備 

        7、機體上禁止放置茶杯等裝有液體的器物 

        8、禁止儀器通電狀態(tài)下去拔插電源插頭

         
        質(zhì)量認證

         

        CE認證

         

        質(zhì)保

         

        一年保修,終身技術(shù)支持。
        特別提示:

        1.耗材部分如加熱元件,石英管,樣品坩堝等不包含在內。

        2.因使用腐蝕性氣體和酸性氣體造成的損害不在保修范圍內。

         

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